Art

J-GLOBAL ID：200902018973227635   Reference number：88A0270279

Threshold properties of 1, 2 and 4μm multilayer magneto-resistive memory cells.

1,2および4μm幅の多層磁気抵抗メモリセルのしきい値特性

Author (5)： POHM A V (Iowa State Univ., IA, USA) ,  DAUGHTON J M (Honeywell Corp., MN, USA) ,  COMSTOCK C S (Iowa State Univ., IA, USA) ,  YOO H Y (Iowa State Univ., IA, USA) ,  HUR J (Iowa State Univ., IA, USA)
Material： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Trans Magn)
Volume： 23  Issue： 5 Pt.1  Page： 2575-2577  Publication year： Sep. 1987 
JST Material Number： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： magneto resistive device ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=88A0270279&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0339B") }}

JST classification (1)： Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (4)： 多層 ,  磁気抵抗メモリ ,  セル ,  しきい値