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J-GLOBAL ID：200902020916790794   Reference number：91A0554151

Oscillations up to 712GHz in InAs/AlSb resonant-tunneling diodes.

InAs/AlSb共鳴トンネルダイオードにおける712GHzまでの発振

Author (6)： BROWN E R (Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts) ,  PARKER C D (Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts) ,  MAHONEY L J (Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts) ,  MOLVAR K M (Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts) ,  SOEDERSTROEM J R (California Inst. Technology, California) ,  MCGILL T C (California Inst. Technology, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 58  Issue： 20  Page： 2291-2293  Publication year： May. 20, 1991 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium arsenide ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (2)： InAs ,  共鳴トンネルダイオード