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J-GLOBAL ID：200902020986512074   Reference number：83A0345484

VLSI materials: A comparison between buried oxide SOI and SOS.

VLSI物質 埋め込み型酸化物SOIとSOSの比較

Author (6)： HAMDI A H (North Texas State Univ.) ,  McDANIEL F D (North Texas State Univ.) ,  PINIZZOTTO R F (Texas Instruments Inc.) ,  MATTESON S (Texas Instruments Inc.) ,  LAM H W (Texas Instruments Inc.) ,  MALHI S D S (Texas Instruments Inc.)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 30  Issue： 2  Page： 1722-1725  Publication year： Apr. 1983 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： VLSI ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： VLSI ,  物質 ,  埋め込み ,  酸化物 ,  SOI ,  SOS