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J-GLOBAL ID：200902022501074840   Reference number：92A0363428

Lowering of the growth temperature by the iodine incorporation for vapor-phase epitaxy of ZnS.

ZnSの気相エピタクシーに対するI₂添加による成長温度の低下

Author (5)： FUKE S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MAEZAWA C (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAKAMURA K (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KUWAHARA K (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  IMAI T (Meisei Univ., Hino, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 71  Issue： 7  Page： 3611-3613  Publication year： Apr. 01, 1992 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： zinc sulfide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： ZnS ,  気相エピタクシー ,  成長温度