Art

J-GLOBAL ID：200902023616352212   Reference number：91A0514384

Bonding by atomic rearrangement of InP/InGaAsP 1.5μm wavelength lasers on GaAs substrates.

GaAs基板上のInP/InGaAsP 1.5μm波長のレーザの原子再配列による結合

Author (5)： LO Y H (Bellcore, New Jersey) ,  BHAT R (Bellcore, New Jersey) ,  HWANG D M (Bellcore, New Jersey) ,  KOZA M A (Bellcore, New Jersey) ,  LEE T P (Bellcore, New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 58  Issue： 18  Page： 1961-1963  Publication year： May. 06, 1991 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0514384&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： GaAs基板 ,  InP ,  InGaAsP ,  M波 ,  レーザ ,  原子 ,  再配列