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J-GLOBAL ID：200902024804773043   Reference number：91A0714148

Spectroscopic Charge Pumping: A New Procedure for Measuring Interface Trap Distributions on MOS Transistors.

分光器による電荷ポンピング MOSトランジスタの界面トラップ分布を測定するための新方法

Author (4)： VAN DEN BOSCH G (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN G V (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  HEREMANS P (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  MAES H E (IMEC vzw, Leuven, BEL)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 38  Issue： 8  Page： 1820-1831  Publication year： Aug. 1991 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： charge pumping

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (5)： 分光器 ,  電荷ポンピング ,  MOSトランジスタ ,  界面トラップ ,  分布