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J-GLOBAL ID：200902025166397213   Reference number：91A0767623

Chemical etching of vicinal Si(111): Dependence of the surface structure and the hydrogen termination on the pH of the etching solutions.

隣接Si(111)の化学エッチング 表面構造と水素末端のエッチング液のpHへの依存性

Author (2)： JAKOB P (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  CHABAL Y J (AT&T Bell Lab., New Jersey)
Material： Journal of Chemical Physics  (J Chem Phys)
Volume： 95  Issue： 4  Page： 2897-2909  Publication year： Aug. 15, 1991 
JST Material Number： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： ステップ【表面】 ,...

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JST classification (4)： Other noncatalytic reactions  (CB06070U) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of inorganic compounds  (BM08063C) ,  Physical analysis of inorganic compounds  (CC03024P)

Terms in the title (7)： Si ,  化学エッチング ,  表面構造 ,  水素 ,  エッチング液 ,  pH ,  依存性