Art

J-GLOBAL ID：200902026394866823   Reference number：92A0789147

High Speed (10-20ns) Non-volatile MRAM with Folded Storage Elements.

3つの部分に折ったメモリーセルを用いた高速(10-20ns)不揮発性MRAM

Author (5)： RANMUTHU K T M (Iowa State Univ., IA) ,  RANMUTHU I W (Iowa State Univ., IA) ,  POHM A V (Nonvolatile Electronics Inc., MN) ,  COMSTOCK C S (Iowa State Univ., IA) ,  HASSOUN M (Iowa State Univ., IA)
Material： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Trans Magn)
Volume： 28  Issue： 5 Pt 2  Page： 2359-2361  Publication year： Sep. 1992 
JST Material Number： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： magneto resistive device ,...

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JST classification (2)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F) ,  Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Terms in the title (3)： メモリーセル ,  不揮発性 ,  MRAM