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J-GLOBAL ID：200902028969215920   Reference number：82A0044904

Laser chemical technique for rapid direct writing of surface relief in silicon.

シリコンにおける表面レリーフの速い直接書込みのためのレーザ化学法

Author (3)： EHRLICH D J (Massachusetts Inst. Technology) ,  OSGOOD R M JR (Massachusetts Inst. Technology) ,  DEUTSCH T F (Massachusetts Inst. Technology)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 38  Issue： 12  Page： 1018-1020  Publication year： Jun. 15, 1981 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Laser irradiation effects and damages  (BK16040S)

Terms in the title (5)： シリコン ,  表面レリーフ ,  直接書込み ,  レーザ ,  化学法