Art

J-GLOBAL ID：200902029837372577   Reference number：90A0287532

Formation mechanism and properties of electrochemically etched trenches in n-type silicon.

n型シリコンにおける電気化学的エッチトレンチの生成機構と性質

Author (2)： LEHMANN V (Siemens AG, Munich, DEU) ,  FOELL H (Siemens AG, Munich, DEU)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 137  Issue： 2  Page： 653-659  Publication year： Feb. 1990 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： N型シリコン ,  電気化学 ,  エッチ ,  トレンチ ,  性質