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J-GLOBAL ID：200902033160815717   Reference number：89A0002788

An experimental 512-bit nonvolatile memory with ferroelectric storage cell.

強誘電体記憶セルを持つ実験的512-ビット不揮発性メモリ

Author (2)： EVANS J T (Krysalis Corp., NM, USA) ,  WOMACK R (Krysalis Corp., NM, USA)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 23  Issue： 5  Page： 1171-1175  Publication year： Oct. 1988 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nonvolatile memory ,...

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JST classification (2)： Memory units  (JC04060F) ,  General  (NC03161C)

Terms in the title (5)： 強誘電体 ,  記憶セル ,  実験 ,  ビット ,  不揮発性メモリ