Art

J-GLOBAL ID：200902034686672640   Reference number：86A0154145

Radiation effects on LSI.

LSIへの放射線の影響

Author (4)： SHIONO NOBORU (NTT) ,  SHIMAYA MASAKAZU (NTT) ,  YAMAGUCHI CHIKARA (NTT) ,  SAKAGAWA YOSHIMITSU (NTT)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 55  Issue： 3  Page： 243-247  Publication year： Mar. 1986 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： review ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0154145&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0252A") }}

JST classification (3)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Reference (14)：

• 1) IEEE Trans. Nucl. Sci. の毎年12,月号に特集として掲載されている.
• 2) T. V. Nordstrom, R. W. Light and F. W. Sexton: Proc. 5th IEEE Custom IC Conf. (1983) p. 43.
• 3) E. G. Stassinopoulos: J. Spacecr. & Rockets 17 (1980) 145.
• 4) J. H. Adams, Jr., R. Silberberg and C. H. Tsao: IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-29 (1982) 169.
• 5) T. C. May and H. Woods: IEEE Trans. Elec-tron Devices ED-26 (1979) 2.

Terms in the title (2)： LSI ,  放射線