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J-GLOBAL ID：200902037405468843   Reference number：90A0283079

Epitaxial growth and doping of and device development in monocrystalline β-SiC semiconductor thin films.

単結晶β-SiC半導体薄膜のエピタキシャル成長,ドーピングおよびデバイス開発

Author (1)： DAVIS R F (North Carolina State Univ., NC)
Material： Thin Solid Films
Volume： 181  Page： 1-15  Publication year： Dec. 10, 1989 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (3)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 単結晶 ,  SiC ,  半導体薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  ドーピング ,  開発