Art

J-GLOBAL ID：200902042464630356   Reference number：92A0009001

Novel structure MQW electroabsorption modulator/DFB-laser integrated device fabricated by selective area MOCVD growth.

領域選択MOCVD成長により製造した斬新な構造のMQW電場吸収変調器/DFBレーザ集積化素子

Author (6)： AOKI M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  SANO H (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  UOMI K (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAKAI A (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 27  Issue： 23  Page： 2138-2140  Publication year： Nov. 07, 1991 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： optical communication ,...
Semi thesaurus term： optical modulator

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0009001&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

JST classification (1)： Optical integrated circuits,integrated optics  (BD06050D)

Terms in the title (7)： MOCVD ,  成長 ,  MQW ,  電場 ,  変調器 ,  DFBレーザ ,  集積化