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J-GLOBAL ID：200902042951475080   Reference number：93A0079230

Characteristics of phase-controlled superconducting device based on Andreev reflection and superconducting proximity effect at Nb-Si boundary.

Nb-Si界面におけるAndreev反射と超伝導近接効果に基づく位相制御超伝導素子の特性

Author (4)： HATANO M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  SAITO K (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  NISHINO T (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAKAGI K (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 61  Issue： 21  Page： 2604-2606  Publication year： Nov. 23, 1992 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： superconducting device ,...
Semi thesaurus term： 位相制御超伝導素子 ,...

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JST classification (1)： Josephson junction and elements  (BM04043E)

Terms in the title (8)： Nb ,  Si ,  界面 ,  Andreev反射 ,  伝導 ,  近接効果 ,  位相制御 ,  超伝導素子