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J-GLOBAL ID：200902043624871360   Reference number：86A0477280

Molecular-beam epitaxy of GaSb/AlSb optical device layers on Si(100)

Si(100)上のGaSb/AlSb光デバイス層の分子ビームエピタキシー

Author (5)： MALIK R J (AT&T, New Jersey) ,  VAN DER ZIEL J P (AT&T, New Jersey) ,  LEVINE B F (AT&T, New Jersey) ,  BETHEA C G (AT&T, New Jersey) ,  WALKER J (AT&T, New Jersey)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 59  Issue： 11  Page： 3909-3911  Publication year： Jun. 01, 1986 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium antimonide ,...

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JST classification (1)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (4)： Si ,  GaSb ,  光デバイス ,  分子ビームエピタキシー