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J-GLOBAL ID：200902044710716462   Reference number：86A0159507

Research trend of radiation hardened semiconductor devices.

耐放射線強化素子研究の現状

Author (2)： USHIROKAWA AKIO (宇宙科研) ,  ONISHI KAZUNORI (日本大理工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 55  Issue： 3  Page： 225-233  Publication year： Mar. 1986 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： review ,...

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JST classification (3)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Reference (51)：

• 1) 後川昭雄:日本の科学と技術 25 (1984) 64.
• 2) 清水啓三:第4回新機能素子技術シンポジウム予稿集 (1985) p. 5.
• 3) 関戸健嗣:日本電子部品信頼性センタ会報 11 (1984) 12.
• 4) 槇野文命,西村 純,後川昭雄,高橋慶治:昭和59年度宇宙科学研究所科学衛星シンポジウム予稿集 (1984) p. 5.
• 5) M. G. J. C. Toomay: Aerosp. Am. 22 (1984) 41.

Terms in the title (4)： 放射線 ,  強化 ,  研究 ,  現状