Art

J-GLOBAL ID：200902046058807569   Reference number：88A0418847

Gettering of gold and copper with implanted carbon in silicon.

シリコン中の打込み炭素による金および銅のゲッタリング

Author (3)： WONG H ,  CHEUNG N W ,  CHU P K (Charles Evans & Assoc., CA, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 52  Issue： 11  Page： 889-891  Publication year： Mar. 14, 1988 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： シリコン ,  打込み ,  炭素 ,  金 ,  銅 ,  ゲッタリング