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J-GLOBAL ID：200902046097481905   Reference number：85A0168555

Mechanism of dry etching of silicon dioxide. A case of direct reactive ion etching.

二酸化けい素のドライエッチング機構 直接反応性イオンエッチングの場合

Author (3)： STEINBRUECHEL C (Lab. RCA Ltd., Switzerland) ,  LEHMANN H W (Lab. RCA Ltd., Switzerland) ,  FRICK K (Lab. RCA Ltd., Switzerland)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 132  Issue： 1  Page： 180-186  Publication year： Jan. 1985 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon dioxide ,...
Semi thesaurus term： reactive ion etching

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JST classification (2)： Applications of plasma  (BJ02110K) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： 二酸化けい素 ,  ドライエッチング ,  反応性イオンエッチング