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J-GLOBAL ID：200902047304628136   Reference number：88A0084049

Gate-voltage-dependent effective channel length and series resistance of LDD MOSFET’s.

LDD MOSFETのゲート電圧依存実効チャネル長と直列抵抗

Author (3)： HU G J (Sierra Semiconductor Corp., CA, USA) ,  CHANG C (Sierra Semiconductor Corp., CA, USA) ,  CHIA Y-T (Sierra Semiconductor Corp., CA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 34  Issue： 12 Pt.1  Page： 2469-2475  Publication year： Dec. 1987 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： LDD

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： MOSFET ,  ゲート電圧 ,  チャネル長 ,  直列抵抗