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J-GLOBAL ID：200902047477799009   Reference number：88A0180393

Silicon surface cleaning by low dose argon-ion bombardment for low-temperature (750°C) epitaxial silicon deposition. I. Process considerations.

低温(750°C)でのエピタキシャルシリコン蒸着のためのアルゴンイオンの低線量照射によるシリコン表面の清浄化 I プロセスの考察

Author (3)： COMFORT J H (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  GARVERICK L M (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  REIF R (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 62  Issue： 8  Page： 3388-3397  Publication year： Oct. 15, 1987 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Argon ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 低温 ,  蒸着 ,  アルゴンイオン ,  低線量照射 ,  シリコン ,  清浄化 ,  プロセス