Art

J-GLOBAL ID：200902048123352836   Reference number：93A0380555

NMOS and PMOS Transistors Fabricated in Strained Silicon/Relaxed Silicon-Germanium Structures.

ストレインドシリコン/リラックスドシリコン-ゲルマニウム構造により作られたNMOSとPMOSトランジスタ

Author (3)： WELSER J (Solid State Electronics Lab., CA) ,  HOYT J L (Solid State Electronics Lab., CA) ,  GIBBONS J F (Solid State Electronics Lab., CA)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1992  Page： 1000-1002  Publication year： 1992 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0380555&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： ゲルマニウム ,  NMOS ,  PMOSトランジスタ