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J-GLOBAL ID：200902050012910044   Reference number：93A0058698

Time-Resolved X-Ray Scattering Studies of Layer-by-Layer Epitaxial Growth.

時間分解X線散乱による層状エピタキシャル成長の研究

Author (6)： FUOSS P H (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  KISKER D W (IBM Research Division, New York) ,  LAMELAS F J (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  STEPHENSON G B (IBM Research Division, New York) ,  IMPERATORI P (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  BRENNAN S (Stanford Synchrotron Radiation Lab., California)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 69  Issue： 19  Page： 2791-2794  Publication year： Nov. 09, 1992 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  X-ray diffraction methods  (BK01020I)

Terms in the title (5)： 分解 ,  X線散乱 ,  層状 ,  エピタキシャル成長 ,  研究