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J-GLOBAL ID：200902050310841101   Reference number：92A0630154

An experimental study of the source/drain parasitic resistance effects in amorphous silicon thin film transistors.

非晶質Si薄膜トランジスタにおけるソース/ドレイン寄生抵抗効果の実験的研究

Author (2)： LUAN S (Purdue Univ., Indiana) ,  NEUDECK G W (Purdue Univ., Indiana)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 72  Issue： 2  Page： 766-772  Publication year： Jul. 15, 1992 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 非晶質Si ,  薄膜トランジスタ ,  ソース ,  ドレイン ,  寄生抵抗 ,  実験的研究