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J-GLOBAL ID：200902050837548496   Reference number：90A0863362

β-SiC and Si selection heteroepitaxy.

β-SiC/Si選択ヘテロエピタキシー

Author (1)： OSHITA SACHIO (日本電気 マイクロエレクトロニクス研)
Material： 電気学会電子材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
Volume： EFM-90  Issue： 17-23  Page： 1-9  Publication year： Sep. 07, 1990 
JST Material Number： Z0970A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： SiC ,  Si ,  ヘテロエピタキシー