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J-GLOBAL ID：200902051085314349   Reference number：92A0254225

Growth mechanism of GaN grown on sapphire with AlN buffer layer by MOVPE.

AlNバッファ層を用いてサファイア上のGaNのMOVPEの成長機構

Author (7)： HIRAMATSU K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KUWANO N (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ITOH S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SHIRAISHI T (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AMANO H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OKI K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AKASAKI I (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 115  Issue： 1/4  Page： 628-633  Publication year： Dec. 1991 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： interface (surface) ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： AlN ,  バッファ層 ,  サファイア ,  GaN ,  MOVPE ,  成長