Art

J-GLOBAL ID：200902051858302906   Reference number：89A0095987

Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator.

絶縁体上シリコンを作るためのシリコンウエハのボンディング

Author (4)： MASZARA W P (Allied Signal Aerospace Co., MD, USA) ,  GOETZ G (Allied Signal Aerospace Co., MD, USA) ,  CAVIGLIA A (Allied Signal Aerospace Co., MD, USA) ,  MCKITTERICK J B (Allied Signal Aerospace Co., MD, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 64  Issue： 10 Pt.1  Page： 4943-4950  Publication year： Nov. 15, 1988 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： SOI structure ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=89A0095987&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

JST classification (2)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 絶縁体 ,  シリコン ,  シリコンウエハ ,  ボンディング