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J-GLOBAL ID：200902052627543494
Reference number：89A0123006
Growth mechanism of single domain GaAs layers on Si substrates.
Si基板上へのシングルドメインGaAs膜の成長機構 二段階成長法におけるSi基板上へのシングルドメインGaAs膜の成長機構
Author (1)：
Material：
Volume：
57
Issue：
11
Page：
1742-1747
Publication year：
Nov. 1988
JST Material Number：
F0252A
ISSN：
0369-8009
CODEN：
OYBSA
Document type：
Article
Article type：
解説
Country of issue：
Japan (JPN)
Language：
JAPANESE (JA)
Thesaurus term：
Thesaurus term/Semi thesaurus term
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JST classification (2)：
JST classification
Category name(code) classified by JST.
Semiconductor thin films
, Lattice defects in semiconductors
Reference (10)：
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1) M. Akiyama, Y. Kawarada and K. Kaminishi: Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) L 843.
-
2) T. Soga, S. Hattori, S. Sakai, M. Takeyasu and M. Umeno: Electron. Lett. 20 (1984) 916.
-
3) M. Kawabe and T. Ueda: Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) L 944.
-
4) T. Ueda, S. Nishi, Y. Kawarada, M. Akiyama and K. Kaminishi: Jpn. J. Appi. Phys. 25 (1986) L 789.
-
5) 小野沢幸子,上田 孝,秋山正博:第48回応用物理学会学術講演会予稿集 (1987) p. 231.
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