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J-GLOBAL ID：200902052650398205   Reference number：86A0266849

Nitrogen effect on oxygen precipitation in Czochralski silicon.

Czochralski法Si中の酸素析出に関する窒素の効果

Author (2)： SHIMURA F (Monsanto Electronic Materials Co., Missouri) ,  HOCKETT R S (Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 48  Issue： 3  Page： 224-226  Publication year： Jan. 20, 1986 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Czochralski method ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： Czochralski法 ,  Si ,  酸素 ,  析出 ,  窒素