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J-GLOBAL ID：200902053310980135   Reference number：81A0217328

銀を含むカルコゲナイドアモルファス半導体の不揮発性記憶効果

Author (3)： HIROSE YOICHI (日本工大工) ,  HIROSE HARUO (日本工大工) ,  KUNIOKA AKIO (青山学院大理工)
Material： 電子通信学会論文誌 C  (Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. C)
Volume： 64  Issue： 2  Page： 122-129  Publication year： Feb. 1981 
JST Material Number： S0623A  ISSN： 0373-6113  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： amorphous semiconductor ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： 銀 ,  カルコゲナイド ,  アモルファス半導体 ,  不揮発性 ,  記憶効果