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J-GLOBAL ID：200902054708885449   Reference number：82A0261712

The effect of phonon-grain boundary scattering on the lattice thermal conductivity and thermoelectric conversion efficiency of heavily doped finegrained, hot-pressed silicon germanium alloy.

不純物濃度の高い微粒子をホットプレスして作ったSiとGeの合金において,フォノン-粒界散乱が格子熱伝導度と熱起電力変換係数に及ぼす影響

Author (2)： ROWE D M (Univ. Wales Inst. Science and Technology, United Kingdom) ,  SHUKLA V S (Univ. Wales Inst. Science and Technology, United Kingdom)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 52  Issue： 12  Page： 7421-7426  Publication year： Dec. 1981 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon compound ,...

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JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (13)： 不純物濃度 ,  微粒子 ,  ホットプレス ,  Si ,  Ge ,  合金 ,  フォノン ,  粒界 ,  散乱 ,  格子 ,  熱伝導度 ,  熱起電力 ,  係数