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J-GLOBAL ID：200902054710920529   Reference number：85A0392586

Defect reduction in GaAs epitaxial layers using a GaAsP-InGaAs strainedlayer superlattice.

GaAsP-InGaAsひずみ層超格子利用によるGaAsエピタキシャル層の欠陥低減

Author (4)： TISCHLER M A (North Carolina State Univ.) ,  KATSUYAMA T (North Carolina State Univ.) ,  EL-MASRY N A (North Carolina State Univ.) ,  BEDAIR S M (North Carolina State Univ.)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 46  Issue： 3  Page： 294-296  Publication year： Feb. 01, 1985 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： GaAsP ,  InGaAs ,  ひずみ層超格子 ,  GaAs ,  エピタキシャル層 ,  欠陥