Art

J-GLOBAL ID：200902057617894690   Reference number：91A0688038

A 33ns 64Mb DRAM.

半導体メモリ33ns 64Mb DRAM

Author (9)： OOWAKI Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TSUCHIDA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  WATANABE Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKASHIMA D (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHTA M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKANO H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  WATANABE S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NITAYAMA A (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HARA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (ISSCC)
Volume： 34  Page： 114-115,299  Publication year： Feb. 1991 
JST Material Number： D0753A  ISSN： 0193-6530  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： DRAM ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0688038&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0753A") }}

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (2)： 半導体メモリ ,  DRAM