Art

J-GLOBAL ID：200902060949305354   Reference number：84A0136237

A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors.

MOSトランジスタにおける電荷ポンピング測定の信頼できる近似

Author (4)： GROESENEKEN G (Katholieke Univ. Leuven, Belgium) ,  MAES H E (Katholieke Univ. Leuven, Belgium) ,  BELTRAN N (Katholieke Univ. Leuven, Belgium) ,  DE KEERSMAECKER R F (Katholieke Univ. Leuven, Belgium)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 31  Issue： 1  Page： 42-53  Publication year： Jan. 1984 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： valence band ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： MOSトランジスタ ,  電荷ポンピング ,  信頼 ,  近似