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J-GLOBAL ID：200902062507593582   Reference number：90A0891146

Radiation damage of SiO₂/Si by plasma processing.

プラズマプロセスによるSiO₂/Siの照射損傷

Author (3)： MIZUTANI TATSUMI (日立 中研) ,  YUNOGAMI TAKASHI (日立 中研) ,  YOKOGAWA KEN'ETSU (日立 中研)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 59  Issue： 11  Page： 1496-1501  Publication year： Nov. 1990 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： plasma etching ,...

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JST classification (4)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Applications of plasma  (BJ02110K)

Reference (21)：

• 1) T. Watanabe and Y. Yosida: Solid State Technol. 27 (1984) 263.
• 2) K. Tsunokuni, K. Nojiri, S. Kuboshima and K. Hirobe: Ext. Abstr. 19th Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1987 (日本学会事務センター, 1987) p. 195.
• 3) T. Mizutani and T. Yunogami: Jpn. J. Appl. Phys. 掲載予定.
• 4) C. Kunz: Synchrotron Radiation Techniques and Application (Springer-Verlag, New York, 1979) p. 101.
• 5) T. Mizutani and S. Nishimatsu: J. Vac. Sci. & Technol. B 7 (1989) 547.

Terms in the title (4)： プラズマプロセス ,  SiO2 ,  Si ,  照射損傷