Art

J-GLOBAL ID：200902062912392985   Reference number：91A0069456

Tantalum as a diffusion barrier between copper and silicon.

銅とシリコンの拡散障壁としてのタンタル

Author (2)： HOLLOWAY K (IBM, T.J. Watson Research Center, New York) ,  FRYER P M (IBM, T.J. Watson Research Center, New York)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 57  Issue： 17  Page： 1736-1738  Publication year： Oct. 22, 1990 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： metallic thin film ,...

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JST classification (3)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  Diffusion in solids in general  (BL06021L) ,  Metallic thin films  (BK14030T)

Terms in the title (4)： 銅 ,  シリコン ,  拡散障壁 ,  タンタル