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J-GLOBAL ID：200902063671570875   Reference number：85A0003415

Crystal growth of GaN by the reaction between gallium and ammonia.

GaとNH₃との反応によるGaNの結晶成長

Author (4)： ELWELL D (Stanford Univ., California) ,  FEIGELSON R S (Stanford Univ., California) ,  SIMKINS M M (Stanford Univ., California) ,  TILLER W A (Stanford Univ., California)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 66  Issue： 1  Page： 45-54  Publication year： Jan. 1984 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (4)： Ga ,  NH3 ,  GaN ,  結晶成長