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J-GLOBAL ID：200902064269446161   Reference number：91A0120619

P-TYPE ZnSe by nitrogen atom beam doping during molecular beam epitaxial growth.

分子ビームエピタキシャル成長中の窒素原子ビームドーピングによるp型ZnSe

Author (5)： PARK R M (Univ. Florida, Florida) ,  TROFFER M B (Univ. Florida, Florida) ,  ROULEAU C M (Univ. Florida, Florida) ,  DEPUYDT J M (3M Co., Minnesota) ,  HAASE M A (3M Co., Minnesota)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 57  Issue： 20  Page： 2127-2129  Publication year： Nov. 12, 1990 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (3)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (5)： 分子ビームエピタキシャル成長 ,  窒素原子 ,  ビーム ,  ドーピング ,  ZnSe