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J-GLOBAL ID：200902065728307982   Reference number：92A0805826

Ultrafast Carrier Dynamics in III-V Semiconductors Grown by Molecular-Beam Epitaxy at Very Low Substrate Temperatures.

極低基板温度での分子ビームエピタキシーにより形成されたIII-V半導体における超高速キャリア動力学

Author (3)： GUPTA S (Univ. Michigan, MI) ,  WHITAKER J F (Univ. Michigan, MI) ,  MOUROU G A (Univ. Michigan, MI)
Material： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE J Quantum Electron)
Volume： 28  Issue： 10  Page： 2464-2472  Publication year： Oct. 1992 
JST Material Number： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dynamics ,...

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JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (4)： 基板温度 ,  分子ビームエピタキシー ,  III-V半導体 ,  キャリア動力学