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J-GLOBAL ID：200902070613333762   Reference number：92A0210591

Photo-Chemical Vapor-Deposited Silicon Oxynitride Films for Solar Cells.

光CVD法によるシリコン酸化窒化膜の太陽電池への応用

Author (1)： SHIBATA NOBORU (大阪電通大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C-2  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
Volume： 75  Issue： 2  Page： 78-84  Publication year： Feb. 1992 
JST Material Number： L0196A  ISSN： 0915-1907  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： solar cell ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (8)：

• SUZUKI, K. Characterization of photo-CVD a-Si : H films by thin-film transistor structure. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2. 1986, 25, 10, L811-L813
• 鈴木和彦. 光CVD法によるシリコン窒化膜のたい積とアモルファスシリコン薄膜トランジスタ. 信学論(C-II). 1989, J72-C-II, 927-933
• 金泰弘. 光CVD法により堆積した窒化シリコン膜の性質およびMNOSメモリ特性. 信学論(C-II). 1991, J74-C-II, 26-33
• 藤田静雄. シリコン窒化膜の最近の研究. 応用物理. 1985, 54, 12, 1250-1266
• HAMANO, K. Structural and Electrical Properties of Photo-CVD Silicon Nitride Film. Jpn. J. Appl. Phys. Part 1. 1984, 23, 9, 1209-1215

Terms in the title (6)： 光CVD法 ,  シリコン ,  酸化 ,  窒化膜 ,  太陽電池 ,  応用