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J-GLOBAL ID：200902074098966922   Reference number：90A0206374

Formation of silicon tips with 〈1 nm radius.

1nm以下の直径をもったシリコンチップの形成

Author (9)： MARCUS R B (Bellcore, New Jersey) ,  RAVI T S (Bellcore, New Jersey) ,  GMITTER T (Bellcore, New Jersey) ,  CHIN K (New Jersey Inst. Technology, New Jersey) ,  LIU D (New Jersey Inst. Technology, New Jersey) ,  ORVIS W J (Lawrence Livermore National Lab., California) ,  CIARLO D R (Lawrence Livermore National Lab., California) ,  HUNT C E (Univ. California, California) ,  TRUJILLO J (Univ. California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 56  Issue： 3  Page： 236-238  Publication year： Jan. 15, 1990 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Techniques for samples  (BA02070O) ,  Solic-state devices in general  (NC03010Z)

Terms in the title (2)： 直径 ,  シリコンチップ