Art

J-GLOBAL ID：200902075485986610   Reference number：81A0079622

Enhancement of the room temperature oxidation of silicon by very thin predeposited gold layers.

予め蒸着した非常に薄い金の層によるシリコンの室温酸化の増進

Author (4)： CROS A (CNRS, France) ,  SALVAN F (CNRS, France) ,  COMMANDRE M (CNRS, France) ,  DERRIEN J (CNRS, France)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 103  Issue： 1  Page： L109-L114  Publication year： Feb. 1981 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Other noncatalytic reactions  (CB06070U) ,  Study of adsorption by physical means  (CB12043P)

Terms in the title (6)： 蒸着 ,  金 ,  層 ,  シリコン ,  室温 ,  酸化