Art

J-GLOBAL ID：200902075503812071   Reference number：88A0121443

Aluminum nitride and oxide film formation by the simultaneous use of a microwave ion source and an ICB system.

マイクロ波イオン源とICBシステムを同時に使用するアルミニウムの窒化膜と酸化膜の形成

Author (4)： ISHIKAWA J (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKAOKA H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJIME K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKAGI T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： IPAT 87  (Ion and Plasma Assisted Techniques)
Page： 33-38  Publication year： 1987 
JST Material Number： K19870580  ISBN： 0-905941-18-7  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： microwave ,...

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JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (5)： マイクロ波 ,  イオン源 ,  アルミニウム ,  窒化膜 ,  酸化膜