Art

J-GLOBAL ID：200902076025660941   Reference number：89A0396346

Analysis of the charge pumping technique and its application for the evaluation of MOSFET degradation.

MOSFET劣化の評価の電荷ポンピング効果の解析とその応用

Author (4)： HEREMANS P (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  WITTERS J (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN G (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  MAES H E (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 36  Issue： 7  Page： 1318-1335  Publication year： Jul. 1989 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： charge pumping

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： MOSFET ,  評価 ,  電荷ポンピング ,  解析 ,  応用