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J-GLOBAL ID：200902078774710370   Reference number：87A0011587

Leakage current mechanisms in hydrogen-passivated fine-grain polycrystalline silicon on insulator MOSFET’s.

SOI MOSFETにおける水素不動態化微粒子多結晶シリコンの漏れ電流機構

Author (2)： MADAN S K (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  ANTONIADIS D A (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 33  Issue： 10  Page： 1518-1528  Publication year： Oct. 1986 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： SOI structure ,...
Semi thesaurus term： 寄生トランジスタ

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： SOI ,  MOSFET ,  水素 ,  不動態化 ,  微粒子 ,  多結晶シリコン ,  漏れ電流