Art

J-GLOBAL ID：200902079238267800   Reference number：86A0501334

Ge_xSi_1-x strained-layer superlattice waveguide photodetectors operating near 1.3 μm.

Ge_xS_1-xひずみ入り超格子導波路型光検出器の1.3μm近傍での受光特性

Author (5)： TEMKIN H (AT&T, New Jersey) ,  PEARSALL T P (AT&T, New Jersey) ,  BEAN J C (AT&T, New Jersey) ,  LOGAN R A (AT&T, New Jersey) ,  LURYI S (AT&T, New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 48  Issue： 15  Page： 963-965  Publication year： Apr. 14, 1986 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photodetector ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0501334&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Photometry and photodetectors in general  (BD07031F) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (5)： ひずみ ,  超格子 ,  導波路 ,  光検出器 ,  近傍