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J-GLOBAL ID：200902081546969292   Reference number：82A0408813

Transitions to defective crystal and the amorphous state induced in elemental Si by laser quenching.

レーザクエンチングにより元素Si中に生じた欠陥性結晶と非晶質状態への転移

Author (5)： CULLIS A G (Royal Signals and Radar Establishment, England) ,  WEBBER H C (Royal Signals and Radar Establishment, England) ,  CHEW N G (Royal Signals and Radar Establishment, England) ,  POATE J M (Bell Lab., New Jersey) ,  BAERI P (Univ. Catania, Italy)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 49  Issue： 3  Page： 219-222  Publication year： Jul. 19, 1982 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： laser irradiation ,...

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JST classification (3)： Laser irradiation effects and damages  (BK16040S) ,  Structure of amorphous semiconductors  (BK04030O) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (7)： レーザ ,  クエンチング ,  元素 ,  Si ,  欠陥 ,  結晶 ,  非晶質状態