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J-GLOBAL ID：200902081934998881   Reference number：91A0236871

High performance AlGaInP visible light-emitting diodes.

高性能AlGaInP可視発光ダイオード

Author (6)： KUO C P (Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California) ,  FLETCHER R M (Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California) ,  OSENTOWSKI T D (Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California) ,  LARDIZABAL M C (Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California) ,  CRAFORD M G (Hewlett-Packard Optoelectronics Division, California) ,  ROBBINS V M (Hewlett-Packard Lab., California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 57  Issue： 27  Page： 2937-2939  Publication year： Dec. 31, 1990 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： phosphide ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (3)： 高性能 ,  AlGaInP ,  発光ダイオード