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J-GLOBAL ID：200902083697757036   Reference number：84A0292579

Neutralization of shallow acceptor levels in silicon by atomic hydrogen.

原子状水素によるシリコン中の浅いアクセプタ準位の中性化

Author (4)： PANKOVE J I (RCA, New Jersey) ,  CARLSON D E (RCA, New Jersey) ,  BERKEYHEISER J E (RCA, New Jersey) ,  WANCE R O (RCA, New Jersey)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 51  Issue： 24  Page： 2224-2225  Publication year： Dec. 12, 1983 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (4)： 原子状水素 ,  シリコン ,  アクセプタ準位 ,  中性化