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J-GLOBAL ID：200902085229152022   Reference number：90A0144302

Crystal defect study of solid phase epitaxially grown Si surrounded by SiO₂ structures.

SiO₂構造で囲まれた固相エピタキシャル成長Siの結晶欠陥の研究

Author (6)： MURAKAMI E (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAMURA M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  KUSUKAWA K (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  MONIWA M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  WARABISAKO T (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIYAO M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Extended Abstracts of the 20th (1988 International) Conference on Solid State Devices and Materials  (Ext Abstr 20th 1988 Int Conf Solid State Devices Mater)
Page： 185-188  Publication year： 1988 
JST Material Number： K19890621  ISBN： 4-930813-27-1  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： SOI structure ,...

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JST classification (2)： Solic-state devices in general  (NC03010Z) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： SiO2 ,  固相エピタキシャル成長 ,  Si ,  結晶欠陥 ,  研究